[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-9] △高圧不活性ガスPDAによるAlN/Geゲートスタックの実現 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（DC）田畑俊行，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工)

キーワード：Ge、high-k、AlN