[28p-G21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-G21-5] ECR-MBE法で作製したSi基板上GaN薄膜(t<200nm)の高品質化への試み ―作製プロセスの見直しとその検討― (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○淀徳男¹，井上直哉²，塩尻大士²，譚ゴオン²，熊谷典子²，松田晃史²，吉本護² (大工大工¹，東工大総理工²)

キーワード：Si基板上GaN