[28p-G22-1~19] 15.6 IV族系化合物

[28p-G22-11] 4H-SiCへのMgのイオン注入と注入層の評価 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○森根達也¹，村田耕司¹，飯田宏明¹，笠囲章史¹，松浦秀治¹，長町信治² (大阪電気通信大¹，イオンテクノセンター²)

キーワード：4H-SiC、Mg-Implanted