[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-17] CeO_x膜とNiSi₂電極を用いた抵抗変化メモリの抵抗変化時の電流の過渡特性 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○叶真一¹，竇春萌¹，Hadi Mokhammad¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：ReRAM