[28p-G7-1~13] 13.7 シミュレーション

[28p-G7-8] 基板バイアスとPD/FD遷移を用いた良好なサブスレッショルド係数を有するSOI MOSFET (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○（M2）黒崎洋，平本俊郎 (東大生研)

キーワード：SOI、MOSFET、Subthreshold