[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-11] 異方性ウェットエッチングを利用して作製したチャネル長3 nmの接合レス型トランジスタの動作 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○右田真司，森田行則，昌原明植，太田裕之 (産総研-GNC)

キーワード：Junctionless、SOIFET、V-groove