[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-12] Thin-BOX GOI-pMOSFETのバックゲートバイアスによるしきい値変調 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○池田圭司¹，守山佳彦^1,2，小野瑞城¹，上牟田雄一¹，入沢寿史¹，鎌田善己¹，酒井朗²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，大阪大院 基礎工²)

キーワード：Ge、MOSFET