2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.6 Siデバイス/集積化技術

[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス/集積化技術

2013年3月28日(木) 13:30 〜 18:30 G9 (B5号館 2F-2203)

[28p-G9-13] 9nm極薄埋込み酸化膜(ETBOX)SOI基板を用いたVth可変FinFETの作製 (5:00 PM ~ 5:15 PM)

遠藤和彦,右田真司,石川由紀,柳永勛,松川貴,大内真一,塚田順一,水林亘,森田行則,太田裕之,山内洋美,昌原明植 (産総研ナノエレ部門)

キーワード:SOI、FinFET、極薄酸化膜