[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-14] 非晶質金属ゲートによるFinFETの特性ばらつき抑制 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○松川貴，柳永勛，水林亘，塚田順一，山内洋美，遠藤和彦，石川由紀，大内真一，太田裕之，右田真司，森田行則，昌原明植 (産総研)

キーワード：FinFET、特性ばらつき、非晶質金属