[28p-PA2-1~4] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[28p-PA2-2] Si⁺イオン注入により導入した点欠陥に関連するSiGe混晶中のアクセプタ準位 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（D）佐藤元樹¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，澤野憲太郎²，白木靖寛² (山梨大クリスタル研¹，東京都市大総研²)

キーワード：SiGe、poind defects