[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-5] 耐圧(BV_CEO)12Vかつf_max=370GHzを有する0.25μm InP/InGaAs DHBT (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○柏尾典秀，栗島賢二，井田実 (NTTフォトニクス研)

キーワード：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ