[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-6] △歪GaAsスペーサ層を有するMOCVD成長GaAsSbベースHBTの電気特性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○星拓也，柏尾典秀，杉山弘樹，横山春喜，栗島賢二，井田実，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研)

キーワード：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、GaAsスペーサ層、有機金属化学気相堆積