[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-7] △多層SiCN鋳型による50nm級T型ゲートInGaAsHEMTの作製 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○吉田智洋，小林健悟，尾辻泰一，末光哲也 (東北大通研)

キーワード：HEMT、InGaAs、T-gate