[29a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[29a-G21-10] △ＧａＮエピタキシャル膜中の転位とメカニカルダイシングプロセスの相関性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○田口秀幸^1,2，北原周¹，三宅修吾¹，中上明光¹，藤原康文² (コベルコ科研¹，阪大院工²)

キーワード：GaN、転位、ダイシング