[29a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[29a-G21-5] 低温におけるGaN/AlGaNヘテロ界面の2次元正孔ガスの伝導機構 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○劉璞誠¹，中島昭²，角嶋邦之³，牧野俊晴²，小倉政彦²，西澤伸一²，岩井洋³，大橋弘通² (東工大フロンティア研¹，産総研²，東工大総理工³)

キーワード：正孔ガス、GaN、AlGaN