[29a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[29a-G21-8] △量子分子動力学法を用いたGaNエッチング過程における反応メカニズムの解析 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○（M1）柳谷一行，伊藤寿，桑原卓哉，石川岳志，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

キーワード：GaN、Etching