[29a-G9-6] ▼Ab initio study of binding energy for single phosphorus donor in silicon nano stub-shaped channel
Keywords:状態密度、単一ドーパント、第一原理計シミュレーション
Regular sessions(Oral presentation)
13. Semiconductors A (Silicon) » 13.6 Silicon devices / Integration technology
Fri. Mar 29, 2013 10:00 AM - 12:45 PM G9 (B5 2F-2203)
Keywords:状態密度、単一ドーパント、第一原理計シミュレーション