[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29a-PB7-17] 不純物ドープInGaAsN薄膜の電気伝導特性と成長後熱処理の効果 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○上杉謙次郎¹，窪谷茂幸¹，サクンタム サノーピン²，尾鍋研太郎¹ (東大新領域¹，チュラロンコン大²)

キーワード：InGaAsN