[29p-A3-1~6] 16.2 プロセス技術・デバイス

[29p-A3-1] 絶縁基板上に形成したa-Ge/Sn積層構造におけるGeの極低温成長 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○大跡明¹，鈴木恒晴¹，朴ジョンヒョク^1,2，宮尾正信¹，佐道泰造¹ (九大・院システム情報¹，学振特別研究員²)

キーワード：Ge、触媒成長