[29p-B4-1~15] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[29p-B4-5] △GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの室温連続動作 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○土居恭平¹，進藤隆彦¹，二見充輝¹，李智恩¹，山原佳晃¹，平谷拓生¹，井上大輔¹，楊書¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電気電子工学¹，東工大量子ナノ²)

キーワード：オンチップ光インターコネクション、薄膜DFBレーザ、レーザ