[29p-G16-1~21] 15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥

[29p-G16-16] SbドープによるSi基板上SiGeエピタキシャル膜中の転位速度増大効果 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○伏見竜也¹，松永拓也¹，山下善文¹，大野裕²，米永一郎² (岡山大院　自然¹，東北大　金研²)

キーワード：転位、SiGe