[29p-G16-1~21] 15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥

[29p-G16-6] 育成中Si単結晶の点欠陥濃度に与えるドーパントの影響(2) (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○末岡浩治，神山栄治 (岡山県大情報工)

キーワード：点欠陥、育成中Si単結晶、第一原理計算