[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-13] 高温熱処理によるIn-Ga-Zn-O TFTの特性変化と水素の影響 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

羽入雄一郎，安部勝美，堂免恵，野村研二，^○神谷利夫，細野秀雄 (東工大)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、薄膜トランジスタ、水素不純物