[29p-G9-1~7] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29p-G9-5] 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○内田貴史¹，竹中浩人¹，吉岡勇¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性基礎研²)

キーワード：二重量子ドット、単電子トランジスタ、シリコン