[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-3] GaNホモエピへのBeイオン注入の基礎検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○石田祐也¹，及川拓弥¹，野本一貴²，金田直樹³，土屋忠義³，三島友義³，中村徹¹ (法政大理工¹，ノートルダム大²，日立電線³)

キーワード：GaN、Be