[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-5] 半絶縁性GaN 基板上AlGaN/GaN HEMT のDC/パルス特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○南條拓真，今井章文，鈴木洋介，岡崎拓行，吹田宗義，中村茉里香，柳生栄治，大路浩 (三菱電機先端総研)

キーワード：GaN