2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PB1 (第二体育館)

[29p-PB1-12] InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 (1:30 PM ~ 3:30 PM)

○(M2)張志宇1,横山正史1,金相賢1,市川磨2,長田剛規2,秦雅彦2,竹中充1,高木信一1 (東大院工1,住友化学2)

キーワード:ゲートスタック、InGaAs、メタルゲート電極