[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-15] GaSb(100)-c(2x6)表面に形成したHfO₂ MOSキャパシタの電気特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○宮田典幸¹，大竹晃浩²，市川昌和³，安田哲二¹ (産総研¹，物材機構²，東大院工³)

キーワード：III-V チャネル、GaSb、HfO2