[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-17] ALD 法によるHfO₂/ Al Germanate/ Ge の形成 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

花田毅広¹，梁池昂生¹，^○石崎博基¹，王谷洋平¹，山本千綾²，山中淳二²，佐藤哲也²，福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²)

キーワード：Al Germanate、原子堆積法、Ge-MOSデバイス