[29p-PB3-1~6] 13.7 シミュレーション

[29p-PB3-5] 深いボロンイオン注入による自己バイアスチャネルダイオードの耐圧解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山田大輔¹，工藤嗣友¹，菅原文彦² (神奈川工大¹，東北学院工大²)

キーワード：MOS diode、パワーデバイス、耐圧