一般セッション(口頭講演)

[18a-A6-1~11] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:00 A6 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-A6-1] 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15分）
GaAs/InGaP Core–Multishell Nanowire-Array-Based Solar Cells

^○中井栄治 (北大)

09:15 〜 09:30

[18a-A6-2] Siパターン基板上への自己触媒InPナノワイヤの形成

^○河口研一¹，須藤久男²，松田学²，竹本一矢²，山本剛之²，荒川泰彦^1,3 (東大ナノ量子¹，富士通研²，東大生研³)

09:30 〜 09:45

[18a-A6-3] MnAs/InAsナノワイヤの作製と成長条件依存性評価

^○小平竜太郎，藤曲央武，加藤弘晃，崎田晋哉，原真二郎 (北大量集センター)

09:45 〜 10:00

[18a-A6-4] InGaAs/GaAs積層量子ドットを有するGaAsナノワイヤ光共振器からのレーザ発振

^○舘林潤¹，加古敏¹，Jinfa Ho²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

10:00 〜 10:15

[18a-A6-5] 自己触媒VLS法によるInPナノワイヤの成長前基板加熱温度依存性

^○（M1）荻野雄大，朝倉啓太，下村和彦，和保孝夫 (上智大)

休憩10:15～10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[18a-A6-6] InAs/InPヘテロ構造ナノワイヤにおける歪のシミュレーション評価

^○舘野功太，章国強，後藤秀樹 (NTT物性研)

10:45 〜 11:00

[18a-A6-7] Ge(111)基板上の垂直InAsナノワイヤの選択成長

^○冨岡克広^1,2，石坂文哉¹，中井栄治¹，福井孝志¹ (北大院情報科学および量子集積センター¹，JST さきがけ²)

11:00 〜 11:15

[18a-A6-8] X線小角散乱によるナノワイヤ成長中のAu触媒形状観測

^○佐々木拓生¹，出来亮太²，高橋正光^1,2 (原子力機構¹，兵庫県立大²)

11:15 〜 11:30

[18a-A6-9] MBE法によるSi基板上InAsナノワイヤ成長

^○木津良祐¹，本田善央¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²)

11:30 〜 11:45

[18a-A6-10] InAsナノワイヤの電子構造および電気伝導率に関する理論的検討

^○秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

11:45 〜 12:00

[18a-A6-11] 非均一なナノワイヤ成長速度の時間依存性

^○Guoqiang Zhang，舘野功太，後藤秀樹 (NTT物性基礎研)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A6-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2014年9月18日(木) 13:30 〜 18:00 A6 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食12:00～13:30 （12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

△ [18p-A6-1] 溶液成長ZnOナノロッドの成長モード制御による残留ドナー濃度均一化

^○（PC）渡辺健太郎^1,2，呉承俊¹，長田貴弘¹，若山裕¹，関口隆史¹，János Volk³ (物材機構¹，筑波大²，ハンガリー科学アカデミー³)

13:45 〜 14:00

△ [18p-A6-2] 反応性高温斜め蒸着法によるGa₂O₃ナノワイヤの成長に及ぼす間欠蒸着の影響

^○山崎世紀，南竹春彦，鈴木基史 (京大院工)

14:00 〜 14:15

△ [18p-A6-3] ナノツリーの発生を抑制したGe/Si コアシェルナノワイヤ成長

^○野口智弘¹，森田広大¹，Marolop Simanullang¹，Zhengyu Xu¹，宇佐美浩一¹，河野行雄¹，小寺哲夫²，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東工大電子物理²)

14:15 〜 14:30

△ [18p-A6-4] 金属ナノ粒子焼結挙動：分子動力学的研究

^○（D）松原典恵，宗藤伸治，古君修 (九大院工)

14:30 〜 14:45

▼ [18p-A6-5] Elemental Distributions in Individual Ge/Si/Ge Core-Double Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography

^○韓斌¹，清水康雄¹，高見澤悠¹，余銘珂^2,3，Wipakorn Jevasuwan²，深田直樹²，井上耕治¹，永井康介¹ (東北大金研¹，物材機構²，筑波大院工³)

14:45 〜 15:00

[18p-A6-6] Ge/Si コアシェルナノワイヤ中のシェルの結晶性とドーピング評価

^○余銘珂^1,2，神永惇^1,2，ウィパコーンジェバスワン²，深田直樹² (筑波大工¹，物材機構²)

休憩15:00～15:15 （15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[18p-A6-7] イレギュラーなナノワイヤ形成の詳細な解析によるＶＬＳ成長機構の探求

^○古藤誠 (キヤノン)

15:30 〜 15:45

[18p-A6-8] 鋳型圧入法によるBiナノワイヤーの開発と熱電物性の評価

^○村田正行¹，山本淳¹，寺門宏樹²，本間亮英²，長谷川靖洋²，小峰啓史³ (産総研¹，埼玉大²，茨城大³)

15:45 〜 16:00

[18p-A6-9] タンパク質超分子を用いて合成されたカーボンナノチューブの色素増感太陽電池への応用

^○豊田健一¹，井之上一平²，石河泰明¹，安枝寿²，浦岡行治¹，山下一郎¹ (奈良先端大¹，味の素²)

16:00 〜 16:15

[18p-A6-10] 金属触媒を用いないシリコンナノワイヤの硫黄支援成長

^○森島聖，中川周平，石山武，石井佑弥 (豊技大院工)

16:15 〜 16:30

▲ [18p-A6-11] Growth and characterization of molybdenum oxide nanorods by one-step sol-gel spin coating method

^○叢樹仁^1,2，菅原徹²，酒金婷²，廣瀬由紀子²，長尾至成²，菅沼克昭² (阪大工¹，阪大産研²)

16:30 〜 16:45

[18p-A6-12] 銀フレーク・フッ素ゴム系伸縮性導体の作製と評価

^○松久直司^1,2，Martin Kaltenbrunner^1,3,4，甚野裕明¹，横田知之^1,3，関谷毅^1,3,5，染谷隆夫^1,3 (東大院工¹，ALPS²，JST ERATO³，ヨハネス・ケプラー大⁴，阪大産研⁵)

休憩16:45～17:00 （16:45 〜 17:00）

17:00 〜 17:15

[18p-A6-13] SPM探針への応用に向けたタングステン酸化物の針状結晶成長法

^○永島一樹¹，富取正彦²，新井豊子¹ (金沢大院¹，北陸先端大院²)

17:15 〜 17:30

[18p-A6-14] Sb₂Te₃のナノ構造作製と組成分析

桑原正史²，上原洋一³，阿部真帆³，坂井穣⁴，保坂純男⁵，曾根逸人⁵，遠藤理恵⁶，鶴岡徹⁷，^○浦辻秀明¹ (芝浦エレテック¹，産総研²，東北大³，トゥール大⁴，群馬大⁵，東工大⁶，物材機構⁷)

17:30 〜 17:45

[18p-A6-15] 単層吸着制御したFe3O4ナノ粒子の磁気光学特性

^○北條大介，水上成美，阿尻雅文 (東北大)

17:45 〜 18:00

[18p-A6-16] 油水界面張力法を用いた単結晶ナノワイヤの基板上での配列アレイ化 ―ミクロンパターンでナノスケールのサイズ選択性を生む仕組み―

He Yong，^○柳田剛，長島一樹，金井真樹，川合知二 (阪大産研)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A6-1~11] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:00 A6 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

△ [19a-A6-1] シリコンナノ結晶ソリッドにおけるナノ結晶間相互作用

^○古田健太，杉本泰，今北健二，藤井稔 (神戸大院工)

09:15 〜 09:30

△ [19a-A6-2] シリコンナノ結晶コロイド塗布薄膜の形成と評価

^○佐々木誠仁，杉本泰，今北健二，藤井稔 (神戸大院工)

09:30 〜 09:45

△ [19a-A6-3] コロイド状Si_1-xGe_xナノ結晶の塗布によるナノ結晶薄膜の作製と評価（I）

^○管野天，杉本泰，今北健二，藤井稔 (神戸大院工)

09:45 〜 10:00

[19a-A6-4] L-ヒスチジン修飾Au₁₀ナノクラスターの発光特性の温度依存性

^○塚本将人，稲本大輝，齊藤正，稲田貢 (関西大)

10:00 〜 10:15

[19a-A6-5] プルシアンブルーナノ粒子を用いたエレクトロクロミックフィルタの粒子制御

^○伊豆崇則¹，山内哲¹，杉山泰²，川本徹² (パナソニック¹，産総研²)

休憩10:15～10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[19a-A6-6] 表面修飾したシリコンナノ結晶とP3HTの複合体における光伝導特性評価

^○舩木健伍¹，山崎将太郎¹，宇佐美浩一¹，河野行雄¹，野崎智洋²，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東工大院理工²)

10:45 〜 11:00

[19a-A6-7] 電気泳動を用いたディップコーティング法によるシリコンナノ結晶の配列制御

^○山崎将太郎，舩木健伍，宇佐美浩一，河野行雄，小田俊理 (東工大・量子ナノ研セ)

11:00 〜 11:15

[19a-A6-8] 蒸留水に分散させた表面終端ポーラスSiの発光特性

^○上口眞央¹，松本公久¹，野村俊¹，神谷和秀¹，鈴木伸哉² (富山県立大¹，長野高専²)

11:15 〜 11:30

[19a-A6-9] エタノール中でエイジングしたポーラスSiのPL強度増加

^○（M1）西尾亮介¹，松本公久¹，野村俊¹，神谷和秀¹，鈴木伸哉²，稲田貢³ (富山県立大¹，長野高専²，関西大³)

11:30 〜 11:45

[19a-A6-10] ボールミル粉砕によるカルボン酸修飾Si超微粒子の作製

^○佐藤井一，土橋哲明，松田真輔 (兵庫県立大院物質理学)

11:45 〜 12:00

[19a-A6-11] ガルバニ還元反応で生成した銀ナノ粒子の組成・生成過程に関する研究

^○藤目祐太朗¹，山本裕子²，伊藤民武³，高橋尚志¹ (香川大教育¹，香川大工²，産総研健工³)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PA4-1~15] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2014年9月19日(金) 16:00 〜 18:00 PA4 (第1体育館)

ポスター掲示時間16:00～18:00(PA4会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[19p-PA4-1] Rational Designing of Vapor-liquid-solid Oxide Nanowire Growth

Annop Klamchuen¹，柳田剛²，^○長島一樹²，吉田秀人²，金井真樹²，Fuwei Zhuge²，Yong He²，Gang Meng²，竹田精治²，川合知二² (NANOTEC¹，阪大産研²)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-2] Single Crystalline NiO Nanowires Grown via VLS Mechanism and Their Significance on Resistive Switching Memory

^○長島一樹，柳田剛，吉田秀人，金井真樹，Gang Meng，Fuwei Zhuge，Yong He，竹田精治，川合知二 (阪大産研)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-3] 熱CVD法による酸化物基板上へのFeナノワイヤの作製

^○（M2）川人愛子¹，柳瀬隆²，石岡準也³，柴山環樹³，渡辺精一³，長浜太郎³，島田敏宏³ (北大総化¹，北大FCC²，北大工³)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-4] 汎用マグネトロンスパッタ装置で形成したＩＴＯナノワイヤの電気特性と微細構造

^○山本直樹，森澤桐彦 (高知工科大)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-5] 粒子表面状態制御によるITO表面への銅ナノ粒子付着および成長

^○横山俊¹，本宮憲一¹，高橋英志¹，田路和幸¹，伊藤隆²，甲斐隆之³ (東北大環¹，東北大学際²，パナソニック³)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-6] 電荷輸送材料添加による半導体粒子層の電荷輸送効率改善に関する研究

^○馬渕隆，横山俊，下位法弘，高橋英志，田路和幸 (東北大環境)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-7] 化合物半導体ヘテロ構造ナノワイヤの選択ウェットエッチング

^○（M2）日比秀昭¹，近藤正彦¹，石川史太郎² (阪大院工¹，愛媛大院工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-8] Modulation of Thermoelectric Power Factor via Radial Dopant Inhomogeneity in B-doped Si Nanowires

Fuwei Zhuge¹，^○金井真樹¹，長島一樹¹，深田直樹²，内田健³，柳田剛¹ (阪大産研¹，物材機構²，慶大理工³)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-9] 真空蒸着によるイオン液体中への金ナノ粒子の合成

^○松本雄介，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛 (京大院工)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-10] マルチシェル型蛍光ナノ粒子の透過電顕を用いた光学特性及び構造評価

^○上原雅人¹，佐藤庸平²，寺内正己² (産総研¹，東北大多元研²)

16:00 〜 18:00

△ [19p-PA4-11] SA-MOVPE法により作製した横型MnAsナノワイヤの磁化特性評価

^○加藤弘晃，崎田晋哉，原真二郎 (北大量集センター)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-12] 分子修飾による無機ナノワイヤのｎ型ドーピング

^○（M2）上紺屋史彦，野々口斐之，河合壯 (奈良先端大)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-13] 同軸型アークプラズマ銃を用いた粉末ナノダイヤモンド作製法の開発とその磁性付与

^○冨永亜希^1,2，楢木野宏¹，花田賢志²，出口博之³，武田薫⁴，吉武剛^1,2 (九大院総合理工¹，九大シンクロトロン²，九州工大工³，福岡工大工⁴)

16:00 〜 18:00

▲ [19p-PA4-14] HVPE and VLS-HVPE synthesis of vertical and horizontal GaN nanowires

^〇Kaddour Lekhal¹，Tadashi Mitsunari¹，Yoshio Honda¹，Hiroshi Amano^1,2 (Nagoya University¹，Akasaki Center²)

16:00 〜 18:00

[19p-PA4-15] 気相成長法を用いたAlxIn1-xNナノ細線の生成と評価

^○剣持直人，和田昇 (東洋大院工)

セッション一覧

09．応用物性 » 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[18a-A6-1~11] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[18p-A6-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [18p-A6-1] 溶液成長ZnOナノロッドの成長モード制御による残留ドナー濃度均一化

△ [18p-A6-2] 反応性高温斜め蒸着法によるGa2O3ナノワイヤの成長に及ぼす間欠蒸着の影響

△ [18p-A6-3] ナノツリーの発生を抑制したGe/Si コアシェルナノワイヤ成長

△ [18p-A6-4] 金属ナノ粒子焼結挙動：分子動力学的研究

▼ [18p-A6-5] Elemental Distributions in Individual Ge/Si/Ge Core-Double Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography

▲ [18p-A6-11] Growth and characterization of molybdenum oxide nanorods by one-step sol-gel spin coating method

[19a-A6-1~11] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [19a-A6-1] シリコンナノ結晶ソリッドにおけるナノ結晶間相互作用

△ [19a-A6-2] シリコンナノ結晶コロイド塗布薄膜の形成と評価

△ [19a-A6-3] コロイド状Si1-xGexナノ結晶の塗布によるナノ結晶薄膜の作製と評価（I）

[19p-PA4-1~15] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [19p-PA4-11] SA-MOVPE法により作製した横型MnAsナノワイヤの磁化特性評価

▲ [19p-PA4-14] HVPE and VLS-HVPE synthesis of vertical and horizontal GaN nanowires

△ [18p-A6-2] 反応性高温斜め蒸着法によるGa₂O₃ナノワイヤの成長に及ぼす間欠蒸着の影響

△ [19a-A6-3] コロイド状Si_1-xGe_xナノ結晶の塗布によるナノ結晶薄膜の作製と評価（I）