一般セッション(口頭講演)

[19a-A20-1~12] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:15 A20 (E312)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-A20-1] マイクロ波力学インダクタンス検出器用TaN薄膜の作製

^○山田博信¹，安倍翼¹，齊藤敦¹，大嶋重利¹，有吉誠一郎²，裵鐘石²，中島健介¹ (山形大¹，名工大²)

09:15 〜 09:30

[19a-A20-2] 分子線エピタキシー法(MBE)を用いた鉄系超伝導体SmFeAs(O,F)薄膜の1-Step成長(2)

^○常木孝信¹，渡辺大樹¹，迫田將仁¹，山本明保²，内藤方夫¹ (農工大¹，東大²)

09:30 〜 09:45

[19a-A20-3] 分子線エピタキシー法を用いて成長した鉄系超伝導体SmFeAs(O,F)の積層膜と接合作製

^○迫田將仁，常木孝信，目出和也，渡辺大樹，内藤方夫 (農工大工)

09:45 〜 10:00

△ [19a-A20-4] 成長阻害要因の解明とその改善によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の作製

^○角谷直紀，千原真志，荒井健太，畑野敬史，生田博志 (名大工)

10:00 〜 10:15

[19a-A20-5] MBE成長したNdFeAs(O,F) / MgO薄膜の臨界電流密度

^○千原真志¹，角谷直紀¹，荒井健太¹，Fritz Kurth²，川口昂彦³，Tarantini Chiara⁴，畑野敬史¹，飯田和昌²，生田博志¹ (名大工¹，IFW Dresden²，名大VBL³，NHMFL,Florida State Univ.⁴)

10:15 〜 10:30

[19a-A20-6] CaFe₂As₂系薄膜の分子線エピタキシー成長

^○藤本亮祐，中村伊吹，森康博，畑野敬史，生田博志 (名大工)

10:30 〜 10:45

[19a-A20-7] CaFe₂As₂系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察

^○（PC）川口昂彦¹，原田俊太²，藤本亮祐²，森康博²，中村伊吹²，畑野敬史²，宇治原徹²，生田博志² (名大VBL¹，名大工²)

休憩10:45～11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[19a-A20-8] CeO₂バッファ層を用いたMOD法による高品質Bi-2212 薄膜の作製

^○岩本恵祐¹，島影尚¹，川上彰²，齊藤敦³，武田正典⁴ (茨城大¹，情報通信研究機構²，山形大³，静岡大⁴)

11:15 〜 11:30

[19a-A20-9] 積層前駆体膜を用いたBi,Pb-2223超伝導薄膜

^○松本明善¹，北口仁¹，福田大輝²，嶋田雄介²，波多聰²，中島英治² (物材機構¹，九大²)

11:30 〜 11:45

[19a-A20-10] PIT法MgB2線材の組織と臨界電流特性に及ぼすMg粉末粒径の影響

^○熊倉浩明，新田隆二，葉術軍，張雲超，松本明善 (物材機構)

11:45 〜 12:00

[19a-A20-11] 電子ビーム蒸着法で作製したCドープMgB₂薄膜の超伝導特性

^○竹原寛人¹，青木翔太¹，堀井滋¹，土井俊哉¹，楠敏明² (京大院エネ科¹，日立製作所²)

12:00 〜 12:15

[19a-A20-12] EB法によるSi基板へのMgB₂薄膜の作製と磁束ピンニングセンタ導入の試み

^○青木翔太¹，竹原寛人¹，堀井滋¹，土井俊哉¹，楠敏明² (京大院エネ科¹，日立製作所²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A20-1~10] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

2014年9月19日(金) 13:30 〜 16:15 A20 (E312)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食12:15～13:30 （12:15 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[19p-A20-1] ナノロッドを導入したPLD-REBa₂Cu₃O_y薄膜における臨界電流特性のナノロッド材料・RE種に対する影響

^○堀井滋¹，一瀬中²，春田正和³，土井俊哉¹ (京大院エネ科¹，電中研²，同志社大³)

13:45 〜 14:00

[19p-A20-2] シード層がSmBa₂Cu₃O_y 薄膜中のBaHfO₃ ナノロッド形状に与える影響

^○渡邊俊哉¹，吉田隆¹，一野祐亮¹，吉積正晃²，和泉輝郎²，加藤丈晴³ (名大工¹，ISTEC-SRL²，JFCC³)

14:00 〜 14:15

[19p-A20-3] SmBa₂Cu₃O_y超電導膜中のBaHfO₃ナノ粒子の分布状態

^○一瀬中¹，鶴田彰宏²，渡邊俊哉²，杉原和樹²，一野祐亮²，吉田隆² (電中研¹，名大工²)

14:15 〜 14:30

[19p-A20-4] TFA-MOD法によりYBa₂Cu₃O_y膜に導入したBaHfO₃粒状ピン止め点の高数密度化

^○寺西亮¹，大田黒賢也¹，山田和広¹，金子賢治¹，吉積正晃²，和泉輝郎² (九州大工¹，超電導工研²)

14:30 〜 14:45

[19p-A20-5] 第一原理計算を用いたYBa₂Cu₃O₇における酸素空孔エネルギーの評価

^○堀出朋哉，松本要 (九工大)

休憩14:45～15:00 （14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[19p-A20-6] 溶融水酸化物法を用いたEuBCO膜の低温成膜

^○宮地優悟，奥西亮太，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

15:15 〜 15:30

△ [19p-A20-7] KOHフラックス法を用いた1気圧大気中におけるRE123膜の低温成膜

^○舩木修平¹，山田容士¹，宮地優悟¹，奥西亮太¹，西郡至誠² (島大総理工¹，島大総科研支セ²)

15:30 〜 15:45

[19p-A20-8] {110}<001>集合組織鉄テープを基材としたYBa₂Cu₃O_7-δ薄膜の作製

^○中順平¹，内間貴之¹，堀井滋^1,2，土井俊哉^1,2，一瀬中^2,3 (京大院エネ科¹，JST-ALCA²，電中研³)

15:45 〜 16:00

[19p-A20-9] 配向鉄テープ上で成長させたCaO安定化ZrO₂中間層の結晶成長方位と構造の関係

^○内間貴之¹，中順平¹，橋本真幸¹，堀井滋^1,2，土井俊哉^1,2，一瀬中^2,3 (京大院エネ科¹，科学技術振興機構²，電中研³)

16:00 〜 16:15

[19p-A20-10] 格子不整合性界面における中間層の結晶配向のメカニズム

^○一瀬中^1,3，中順平²，内間貴之²，堀井滋^2,3，土井俊哉^2,3 (電中研¹，京大院エネ科²，JST-ALCA³)

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