[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17a-A27-3] 両面陽極酸化ポーラスアルミナのReRAM動作

^○（M1）小川大翔，森下義隆，細野貴也 (農工大工)

キーワード：両面陽極酸化,ReRAM,Ni埋め込み