[17p-A17-1~14] 15.6 IV族系化合物

△ [17p-A17-6] 紫外光照射によるSiC基板表面への正孔供給を用いたゲート負電圧印加時の絶縁膜信頼性の評価手法

^○大橋輝之，飯島良介，高尾和人 (東芝研開セ)

キーワード：SiC,MOSFET,絶縁膜