[17p-A17-1~14] 15.6 IV族系化合物

△ [17p-A17-7] イオン照射を行った4H-SiC MOSFETにおける絶縁破壊電界

^○出来真斗^1,2，牧野高紘²，富田卓朗¹，児島一聡³，大島武² (徳島大¹，原子力機構²，産総研³)

キーワード：Silicon Carbide