[17p-A19-1~12] 絶縁膜上におけるⅣ族系半導体結晶薄膜の低温成長－新しい結晶成長技術への期待－

[17p-A19-6] フラッシュランプアニール法による多結晶Ge成長とそのMOSFET応用（30分）

^○臼田宏治，鎌田善己，上牟田雄一，森貴洋，小池正浩，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：Ge,多結晶,MOSFET