[17p-A19-1~12] 絶縁膜上におけるⅣ族系半導体結晶薄膜の低温成長－新しい結晶成長技術への期待－

[17p-A19-9] 高性能フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法によるSiGe混晶の極低温成長と方位制御

^○朴ジョンヒョク^1,2，宮尾正信¹，佐道泰造¹ (九大シス情¹，学振特別研究員²)

キーワード：SiGe