[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

▲ [17p-A27-2] Influence of intentional impurities (O, C) on the epitaxial GaN layers properties

^〇（P）Yaxin Wang¹，Takashi Teramoto²，Kazuhiro Ohkawa¹ (TUS¹，AL²)

キーワード：epitaxial GaN layers,MOVPE,PL