[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

▲ [17p-A27-8] RTA of MOVPE-grown Mg-doped In_xGa_1-xN (x~0.3) for Mg activation

^〇Mdtanvir Hasan^1,2，A. Mihara^1,2，N. Shigekawa³，A. Yamamoto^1,2，M. Kuzuhara¹ (Univ. of Fukui¹，JST-CREST²，Osaka City Univ.³)

キーワード：p-InGaN,RTA,MOVPE