[17p-B1-1~3] 17.4 デバイス応用

[17p-B1-1] Al₂O₃絶縁膜を用いたトップゲート型MoS₂ FETの試作

^○二之宮成樹^1,2，森貴洋²，内田紀行²，渡辺英一郎³，津谷大樹³，森山悟士³，田中正俊¹，安藤淳² (横国大院工¹，産総研²，物材機構³)

キーワード：MoS2,トランジスタ,high-k