[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-C5-14] 反応性スパッタ法によるGaN薄膜のエピタキシャル成長

^○磯崎勇児¹，山下雄一郎²，八木貴志²，賈軍軍¹，竹歳尚之²，中村新一¹，重里有三¹ (青学大理工¹，産総研²)

キーワード：GaN,反応性スパッタ,熱物性