[18a-A16-1~11] 13.4 デバイス／集積化技術

[18a-A16-5] SOTB-FinFETへのバックバイアス印加による低ばらつきVt可変技術

^○松川貴，柳永勛，遠藤和彦，塚田順一，山内洋美，石川由紀，大内真一，右田真司，森田行則，水林亘，太田裕之，昌原明植 (産総研)

キーワード：FinFET,Vt可変技術,特性ばらつき