[18a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18a-A19-3] Bi原子細線をドーパント源とするSi結晶中のBiδドーピング法: アニール温度の再考

^○（M2）金澤孝^1,2，村田晃一^1,2，日塔光一¹，三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²)

キーワード：ドーピング,ナノ構造,シリコン