[18a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18a-A19-4] リン酸溶液中レーザドーピングによるGeダイオードの低温形成

^○高橋恒太¹，黒澤昌志^1,2，池上浩³，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²，九大院シス情³)

キーワード：レーザドーピング