[18p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-A12-8] 低温プロセスで作製したa-IGZO TFTの特性評価

^○高梨泰幸，越智元隆，後藤裕史，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

キーワード：IGZO,TFT,低温プロセス