[18p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-A12-9] 自己組織化単分子膜（SAM）によるa-InGaZnO/SiOx界面の修飾

^○（DC）戸田達也，是友大地，古田守 (高知工大)

キーワード：InGaZnO,TFT,Self-Assembly Monolayer