[18p-A14-1~18] 7.6 イオンビーム一般

[18p-A14-17] Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響（II）

^○（M2）松井祐斗，アザマト オシュラフノフ，柳沢淳一 (滋賀県立大工)

キーワード：イオンビーム,GaN,選択成長