[18p-A17-1~12] 15.6 IV族系化合物

△ [18p-A17-7] DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価

^○長谷川淳一¹，須藤建瑠¹，岩崎孝之¹，小寺哲夫¹，古橋壮之²，野口宗隆²，中田修平²，西村正¹，波多野睦子¹ (東工大¹，三菱電機²)

キーワード：DLTS,SiC-MOSFET,酸化