PDF ダウンロード スケジュール 8 いいね! 0 13:30 〜 15:30 [18p-PB10-11] Al2O3をゲート絶縁膜とした歪みGe MOS構造の電気特性 ○深山剛1,田中伸乃介2,田中貴久2,ミロノフ マクシム3,牧秀之2,伊藤公平2,澤野憲太郎1 (都市大総研1,慶應大2,Warwick大3) キーワード:半導体