[19a-A17-1~12] 13.2 絶縁膜技術

[19a-A17-3] 分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション　－正負両方向のダイポール層の再現－

^○志村昂亮¹，橋口誠広¹，功刀遼太¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，JST-CREST⁵)

キーワード：high-k,ダイポール